Samsung показала zHBM и 400-слойную NAND
Григорьев Арсений АндреевичSamsung показала два новых направления в памяти: концепт zHBM для высокопроизводительных систем и V10 BV-NAND с более чем 400 слоями. Обе разработки пока остаются на уровне анонса: компания не назвала сроки выхода готовых чипов и не показала коммерческий кремний.
zHBM: DRAM прямо над процессором
Архитектура zHBM предполагает монтаж стека DRAM прямо поверх процессорного кристалла. Такой подход должен сократить расстояние передачи данных и упростить работу с высокими нагрузками в системах, где критична пропускная способность памяти.
По заявлениям Samsung, zHBM может дать:
- •8-кратный прирост производительности по сравнению с HBM5
- •10-кратный рост плотности
- •снижение теплового сопротивления на 50%
V10 BV-NAND: свыше 400 слоев
Второй анонс — память V10 BV-NAND, в которой насчитывается более 400 слоев. В этой архитектуре периферийные схемы и ячейки формируются отдельно на разных пластинах, после чего соединяются вместе.
Samsung утверждает, что такой подход позволил увеличить плотность на 58% относительно V9 NAND. Это один из ключевых параметров для флеш-памяти, где рост плотности напрямую влияет на емкость и эффективность производства.
Что пока неизвестно
Компания не раскрыла сроки коммерциализации ни zHBM, ни V10 BV-NAND. На презентации также не было данных о готовых образцах, серийном запуске или партнерах по внедрению.
А пока Samsung только показывает память будущего, для сборки на актуальной DDR5-платформе можно присмотреться к Maxsun MS-Terminator Z890-A WIFI с чипсетом Intel Z890 и поддержкой до 256 ГБ RAM:
